国产超分辨光刻装备项目通过验收 实现22nm分辨率光刻

　　国家重大科研装备研制项目“超分辨光刻装备项目”已经通过验收，未来国产光刻机也将占领一席之地。该光刻机采用紫外光源，实现了22nm分辨率的光刻，可以生产我们熟悉的22nm级别芯片。另外，使用双重曝光技术后，该光刻机在未来甚至可以生产领先的10nm级别芯片。

　　据悉，该光刻机由中国科学院光电技术研究所研制，具有完全自主知识产权。这款光刻机的问世，也为超材料/超表面、第三代光学器件、广义芯片等变革性领域的跨越式发展提供了制造工具。

　　在此之前，2002年成立的上海微电子已经率先研发出了90nm制程的光刻机，现在中国科学院光电技术研究所研发的22nm光刻机已经通过验收，可以说实现了跨越级的进步。

　　目前超分辨光刻装备制造的相关器件已在多家科研院所和高校的重大研究任务中得到应用，我们也期待未来能有性能表现更强的中国制造芯片亮相！

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